HSPR-X-I-1G4-SI兆赫茲硅光電探測(cè)器

通過將**的光電二極管與經(jīng)過驗(yàn)證的出色的FEMTO GHz放大器技術(shù)相結(jié)合，我們?cè)O(shè)計(jì)了一系列具有**性能的新型光電接收器。 HSPR-X和HSA-X-S提供2 GHz的帶寬上限，具有快速Si-PIN或InGaAs-PIN光電二極管，光譜范圍分別為320至1000nm和900至1700nm。 由于采用*的放大器設(shè)計(jì)，ZUI小NEP僅為11pW√Hz，互阻抗為5 x 103 V / A. 這允許以GHz速度測(cè)量μW范圍內(nèi)的光功率水平。

實(shí)驗(yàn)應(yīng)用：

光譜

快速脈沖和瞬態(tài)測(cè)量

光學(xué)觸發(fā)

用于示波器和A / D轉(zhuǎn)換器的光學(xué)前端（O / E轉(zhuǎn)換器）

HSPR-X-I-1G4-SI兆赫茲硅光電探測(cè)器

超快光接收器系列hspr-x和hsa-x-s系列特征

Si-PIN和InGaAs-PIN光電二極管

波長范圍為320至1700 nm

超寬帶寬，從10 kHz到2 GHz

ZUI大轉(zhuǎn)換增益4.75 x 103 V / W.

ZUI小NEP 11 pW /√Hz

通過將**的光電二極管與經(jīng)過驗(yàn)證的出色的FEMTO GHz放大器技術(shù)相結(jié)合，我們?cè)O(shè)計(jì)了一系列具有**性能的新型光電接收器。 HSPR-X和HSA-X-S提供2 GHz的帶寬上限，具有快速Si-PIN或InGaAs-PIN光電二極管，光譜范圍分別為320至1000nm和900至1700nm。 由于采用*的放大器設(shè)計(jì)，ZUI小NEP僅為11pW√Hz，互阻抗為5 x 103 V / A. 這允許以GHz速度測(cè)量μW范圍內(nèi)的光功率水平。